Siliziumfotodioden
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Durch den Photovoltaikeffekt wandeln Siliziumfotodioden Lichtenergie in elektrischen Strom um. Der Grund für dieses
Phänomen ist der kleine Energieabstand zwischen Valenzband und Leitungsband des Detektors. Wenn die Energie des
einfallenden Lichts ausreicht, um ein Elektron so anzuregen, dass es vom Valenz- in das Leitungsband wandert, führt diese
Ansammlung von Ladung zu einem Stromfluss in einem äußeren Stromkreis. Da Licht aber nicht die einzige Energiequelle
ist, die ein Elektron anregen kann, entsteht in den Detektoren zusätzlich ein Strom, der nicht durch das einfallende Licht
verursacht wird. Zum Beispiel können Änderungen der thermischen Energie leicht als Lichtintensitätsänderung missgedeutet
werden. Die Summe aller Ströme, die nicht durch Licht entstehen, entspricht dem Gesamtrauschen des Detektors.
Vorspannung: normal (Vbias = -10 V) *quadratischer Sensor **rechteckiger Sensor
aktive
Spektral-
Empfindlichk.
Fläche
empfindlichkeit
(A/W) @
(mm2)
(nm)
970 nm
NEP
(W/Hz1/2)
@ -10 V,
970 nm
Kapazität (pF) Dunkelstrom
0 V -10 V
0,20 350 - 1100 0,65 2,8 x 10-15 4 1 0,01 6 TO-18 #57-506 €31,84
0,81 350 - 1100 0,65 6,2 x 10-15 8 2 0,05 8 TO-18 #57-507 €31,84
3,2** 350 - 1100 0,65 1,1 x 10-14 45 12 0,15 10 TO-18 #53-372 €31,84
5,1 350 - 1100 0,65 1,4 x 10-14 85 15 0,25 12 TO-5 #53-371 €39,56
16,4 350 - 1100 0,65 1,9 x 10-14 330 60 0,5 17 TO-8 #54-034 €46,80
44,0* 350 - 1100 0,65 2,8 x 10-14 700 130 1 24 TO-8 #54-035 €64,17
100,0 350 - 1100 0,65 3,9 x 10-14 1500 300 2 43 BNC #53-373 €120,63
613,0 350 - 1100 0,65 1,1 x 10-13 9500 1800 15 250 BNC #53-374 €408,19
Ohne Vorspannung: blau verstärkt
aktive
Spektral-
Empfindlichk.
NEP
Fläche
empfindlichkeit
(A/W) @
(W/Hz1/2)
(mm2)
(nm)
410 nm
@ 0 V, 410 nm
Kapazität
(pF) 0 V
(nA)
@ -10 V
Sättigungsstrom
(mA)
Anstiegzeit
(ns) -10 V/50
Ω, 632 nm
Anstiegzeit
(ns)
0 V/50 Ω
Gehäuse Produktnr.
Preis
Gehäuse Produktnr.
Preis
0,81 350 - 1100 0,2 2,0 x 10-14 60 0,5 0,02 TO-18 #57-508 €39,56
5,1 350 - 1100 0,2 5,2 x 10-14 450 2 0,2 TO-5 #53-378 €39,56
100,0 350 - 1100 0,2 2,0 x 10-13 8800 10 2,0 BNC #53-379 €117,73
Ohne Vorspannung: UV verstärkt **rechteckiger Sensor
aktive
Spektral-
Empfindlichk.
NEP
Sättigungsstrom
Anstiegzeit
Fläche
empfindlichkeit
(A/W) @
(W/Hz1/2)
Kapazität
(mm2)
(nm)
254 nm
@ 0 V, 254 nm
(pF) 0 V
(ns) 0 V/50 Ω,
(mA)
254 nm
Gehäuse Produktnr.
Preis
15** 200 - 1100 0,14 1,4 x 10-13 800 0,1 2,0 TO-5 #57-510 €64,17
20,0 200 - 1100 0,14 2,0 x 10-13 1000 0,1 2,0 TO-8 #54-036 €64,17
35,0** 200 - 1100 0,14 1,7 x 10-13 1600 0,1 3,0 TO-8 #54-037 €91,19
50,0 200 - 1100 0,14 2,6 x 10-13 2500 0,1 3,5 BNC #53-376 €147,64
100,0 200 - 1100 0,14 4,5 x 10-13 4500 0,1 5,9 BNC #53-377 €174,66
KENNLININENTYP: NORMAL
Charakteristika: Vorspannung, schnelle Antwortzeit, geringe Kapaz.
Fenstermaterial: Borosilikat
Anwendungen: hohe Lichtlevel, Pulsdetektoren, AC-Lichtmessung
KENNLININENTYP: UV/BLAU VERSTÄRKT
Charakteristika: keine Vorspannung, hoher Nebenwiderstand,
geringes Rauschen, lange Beständigkeit
Fenstermaterial: Quarz
Anwendungen: geringe Lichtlevel, großer Spektralbereich
Bitte beachten Sie: Alle Daten in der Tabelle sind typische Werte
(soweit nicht anders angegeben) für 23°C.
Typical Detector Response Curves
Responsivity
(A/W)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
200 300 400 500 600 700 800 900 1000
λ (nm)
Normal
UV Enhanced
Blue Enhanced
InGaAs-Fotodioden
Typical InGaAs Detector Response Curve
• Antwortbereich von 900 nm bis 1700 nm
• Gehäuse für Einzelmoden- oder Multimoden-Faserkopplung
• Sowohl kleine Flächen (hohe Geschwindigkeit) als auch große Flächen
InGaAs-Fotodioden haben ein hervorragendes Ansprechverhalten von 900 nm bis 1700 nm. Sie eigenen sich ausgezeichnet
+49 (0) 6131 5700-0 | Edmund Optics® N NEUES PRODUKT PREISSENKUNG
1
0.9
0.8
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
800 900 1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600
Responsivity
(A/W)
1700 1800 λ (nm)
0.7
InGaAs-Fotodioden
Durchmesser
aktive Fläche
(mm)
Spektralempfindlichk.
(nm)
Empfindlichkeit
@ 1310/1550 nm
(A/W)
NEP
(W/Hz1/2)
Dunkelstrom@
VR = 5 V (nA)
Ableitwiderstand
@ VR = 10 mV
(MΩ)
Gehäuse Produktnr.
Preis
0,07 900 - 1700 0,90/0,95 3,44 x 10-15 0,03 typisch /
2 maximal – TO-46 #55-753 €83,47
0,07 900 - 1700 0,90/0,95 3,44 x 10-15 0,03 typisch /
2 maximal – FC-Faserstecker #55-756 €192,03
0,12 900 - 1700 0,90/0,95 4,5 x 10-15 0,05 typisch /
2 maximal – TO-46 #55-754 €83,47
0,12 900 - 1700 0,90/0,95 4,5 x 10-15 0,05 typisch /
2 maximal – FC-Faserstecker #55-757 €192,03
0,30 900 - 1700 0,90/0,95 6,28 x 10-15 0,3 typisch /
5 maximal – TO-46 #17-071 €88,78
0,30 900 - 1700 0,90/0,95 6,28 x 10-15 0,3 typisch /
5 maximal – FC-Faserstecker #17-072 €196,86
0,40 900 - 1700 0,90/0,95 7,69 x 10-15 0,4 typisch /
5 maximal – TO-46 #17-073 €88,78
0,40 900 - 1700 0,90/0,95 7,69 x 10-15 0,4 typisch /
5 maximal – FC-Faserstecker #17-074 €196,86
0,50 900 - 1700 0,90/0,95 8,42 x 10-15 0,50 typisch /
20 maximal – TO-46 #62-271 €88,78
1,00 900 - 1700 0,90/0,95 2,45 x 10-14 – 30 TO-46 #17-075 €187,21
1,50 900 - 1700 0,90/0,95 3,01 x 10-14 – 20 TO-46 #17-076 €258,62
3,00 900 - 1700 0,90/0,95 4,25 x 10-14 – 20 TO-5 #59-140 €583,82
N
N
N
N
N
N
zur Daten- und Nahinfrarotdetektion. Die 70 und die 120 Mikrometer Fotodioden werden in einem isolierten
TO-46-Gehäuse angeboten mit einer Anschlusskappe mit Linse für Einzel- und Multimodenfasereinkopplung.
Diese beiden Größen sind auch mit FC-Faserstecker erhältlich. Die 70 Mikrometer Fotodiode eignet sich
besonders für Anwendungen mit großer Bandbreite, während die 120 Mikrometer Fotodiode ideal für Anwendungen
mit aktiver Justage ist. Die 3 mm Fotodiode hat ein isoliertes TO-5-Gehäuse, mit einem beidseitig breitbandig
antireflexbeschichtetem Fenster. Aufgrund des hohen Ableitwiderstandes eignen sich die 3 mm Fotodioden
sowohl für hochempfindliche Anwendungen als auch für Anwendungen mit schwachen Signalen.
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